Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 1194/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
FDMT80060DC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 60V Produttore: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 43A (Ta), 292A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20170pF @ 30V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Dual Cool™88 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.708
FDMT80080DC ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V Produttore: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 254A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20720pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-Dual Cool™88 Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.784
FDN028N20 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile27.816
FDN302P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 882pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile791.028
FDN304P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1312pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile566.514
FDN304PZ ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.240.812
FDN306P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1138pF @ 6V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.796.988
FDN308P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 341pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.380
FDN327N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 423pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.071.360
FDN335N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.631.798
FDN336P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile357.222
FDN336P-NL ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.464
FDN337N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.631.360
FDN337N-F169 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.142
FDN338P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 451pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.445.598
FDN338P_G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo INTEGRATED CIRCUIT Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 451pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.310
FDN339AN ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile549.162
FDN339AN_G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.712
FDN340P MICROSS/On Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L Produttore: MICROSS/On Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 779pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: Die Pacchetto / Custodia: Die	Disponibile6.048
FDN340P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 779pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.438.782
FDN342P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile275.028
FDN352AP ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile1.724.004
FDN357N ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile350.034
FDN358P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 182pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile125.304
FDN359AN ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile733.524
FDN359BN ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile227.292
FDN360P ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 298pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile350.238
FDN360P-NBGT003B ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 298pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.084
FDN361AN ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile4.716
FDN361BN ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 500mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile91.764

«
‹
1
...
1191
1192
1193
1194 (current)
1195
1196
1197
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message