Transistor

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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMTH8012LPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 72A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1949pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta), 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile3.348
DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 80V 10A POWERDI Produttore: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 72A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2051pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.6W (Ta), 136W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile56.466
DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 53.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1949pF @ 40V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.736
DN1509K1-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 90V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 490mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-5 Pacchetto / Custodia: SC-74A, SOT-753	Disponibile3.078
DN1509N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 90V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 360mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile8.280
DN2450K4-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile16.836
DN2450N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 500V 0.23A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile3.330
DN2470K4-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 700V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile339.546
DN2530N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 (TO-226) Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile21.096
DN2530N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile19.062
DN2535N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 (TO-226) Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile16.134
DN2535N3-G-P003 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 (TO-226) Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile4.896
DN2535N3-G-P013 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 (TO-226) Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile6.228
DN2535N5-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 15W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile7.506
DN2540N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 (TO-226) Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile13.398
DN2540N3-G-P003 Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 (TO-226) Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile6.318
DN2540N5-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 15W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Pacchetto / Custodia: TO-220-3	Disponibile16.296
DN2540N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 400V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 170mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile19.734
DN2625K4-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile358
DN3135K1-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 72mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 360mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile152.772
DN3135N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 0.135A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 135mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile906
DN3145N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 0.1A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.3W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile8.946
DN3525N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 250V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 360mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile93.390
DN3535N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 350V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile16.470
DN3545N3-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 136mA Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 740mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 (TO-226) Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Disponibile14.484
DN3545N8-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 450V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-243AA (SOT-89) Pacchetto / Custodia: TO-243AA	Disponibile52.728
DN3765K4-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Tj) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 25V Funzione FET: Depletion Mode Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile4.878
E3M0065090D Cree/Wolfspeed	Transistor - FET, MOSFET - Singolo E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M Produttore: Cree/Wolfspeed Serie: Automotive, AEC-Q101, E Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84.5mOhm @ 20A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 15V Vgs (massimo): +18V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 125W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile16.920
E3M0120090D Cree/Wolfspeed	Transistor - FET, MOSFET - Singolo E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC Produttore: Cree/Wolfspeed Serie: Automotive, AEC-Q101, E Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 15V Vgs (massimo): +18V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 600V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 97W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile18.552
E3M0280090D Cree/Wolfspeed	Transistor - FET, MOSFET - Singolo E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC Produttore: Cree/Wolfspeed Serie: Automotive, AEC-Q101, E Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 15V Vgs (massimo): +18V, -8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 600V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 54W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile14.268

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