Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DMN2024UFDF-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 960mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile4.842
DMN2025UFDF-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile8.892
DMN2025UFDF-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 700mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile8.928
DMN2026UVT-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.15W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile8.028
DMN2026UVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4nC @ 8V Vgs (massimo): ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 887pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.15W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile6.750
DMN2027LK3-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.14W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252-3 Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.214
DMN2027UPS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1091pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.1W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: PowerDI5060-8 Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN	Disponibile2.394
DMN2028UFDF-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 660mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type F) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile2.610
DMN2028UFDF-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 660mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-DFN2020-6 (Type F) Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad	Disponibile52.854
DMN2028USS-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.56W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Disponibile3.582
DMN2028UVT-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile3.168
DMN2028UVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile6.750
DMN2040U-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 667pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.472
DMN2040U-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 667pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.456
DMN2040UVT-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 667pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile3.978
DMN2040UVT-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 667pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.2W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: TSOT-26 Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Disponibile2.322
DMN2041L-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 780mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile654.450
DMN2044UCB4-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 8V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 720mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: U-WLB1010-4 Pacchetto / Custodia: 4-UFBGA, WLBGA	Disponibile6.984
DMN2046U-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 292pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 760mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile2.502
DMN2046U-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 292pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 760mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile54.810
DMN2050L-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.9A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 532pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile764.664
DMN2050LQ-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 Produttore: Diodes Incorporated Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile5.094
DMN2053U-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 414pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.996
DMN2053U-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 414pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile5.994
DMN2055U-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile8.532
DMN2055U-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 800mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile7.740
DMN2056U-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 339pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 940mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.354
DMN2056U-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs (massimo): ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 339pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 940mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile23.040
DMN2058U-13 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.13W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile6.066
DMN2058U-7 Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.13W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Disponibile3.978

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