Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
CDM4-600LR TR13 Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4A 600V DPAK Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.59nC @ 10V Vgs (massimo): 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 38W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile2.556
CDM4-650 TR13 Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 4A 650V DPAK Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs (massimo): 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 463pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 620mW (Ta), 77W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile7.542
CDM7-600LR TR13 Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 7A 600V DPAK Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (massimo): 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile6.768
CDM7-650 TR13 Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 7A 650V DPAK Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Vgs (massimo): 30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 754pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 1.12W (Ta), 140W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Disponibile5.868
CEDM7001 BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (massimo): 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile6.624
CEDM7001 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (massimo): 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile2.412
CEDM7001VL TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (massimo): 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883VL Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile3.454
CEDM7002AE TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (massimo): 20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883L Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile91.944
CEDM7004 BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.78A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile8.388
CEDM7004 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.78A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile4.014
CEDM7004VL TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883VL Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile6.948
CEDM8001 BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (massimo): 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile7.020
CEDM8001 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (massimo): 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile6.120
CEDM8001VL TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (massimo): 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883VL Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile75.564
CEDM8004 BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883 Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile2.214
CEDM8004 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883VL Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile6.480
CEDM8004VL TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 100mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-883VL Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883	Disponibile7.326
CMF10120D Cree/Wolfspeed	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 24A TO247 Produttore: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1nC @ 20V Vgs (massimo): +25V, -5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 928pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 134W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile5.346
CMF20120D Cree/Wolfspeed	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 Produttore: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V Vgs (massimo): +25V, -5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 215W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Pacchetto / Custodia: TO-247-3	Disponibile7.776
CMLDM7120G TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 1A SOT563 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563 Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile3.402
CMLDM8120G TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563 Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile4.950
CMLDM8120 TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 860mA (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (massimo): 8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 150mW (Ta) Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-563 Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666	Disponibile4.878
CMPDM202PH BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V SOT-23F Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (massimo): 12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile7.344
CMPDM202PH TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (massimo): 12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile8.226
CMPDM203NH BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V SOT-23F Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): 12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile8.640
CMPDM203NH TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (massimo): 12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile3.258
CMPDM302PH BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V SOT-23F Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (massimo): 12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile3.312
CMPDM302PH TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (massimo): 12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile7.272
CMPDM303NH BK Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V SOT-23F Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): 12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile2.646
CMPDM303NH TR Central Semiconductor Corp	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (massimo): 12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 350mW (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23F Pacchetto / Custodia: SOT-23-3 Flat Leads	Disponibile3.924

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