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Transistor

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Descrizione
Disponibile
Quantità
BUK9629-100B,118
BUK9629-100B,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±15V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 157W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile56.580
BUK962R1-40E,118

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13160pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 293W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile6.300
BUK962R5-60E,118
BUK962R5-60E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17450pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile23.574
BUK962R6-40E,118
BUK962R6-40E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.6nC @ 32V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10285pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 263W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile4.680
BUK962R8-30B,118
BUK962R8-30B,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±15V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10185pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.934
BUK962R8-60E,118
BUK962R8-60E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15600pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 324W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile25.308
BUK9635-100A,118

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3573pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 149W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile4.356
BUK9635-55,118

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile4.194
BUK9635-55A,118
BUK9635-55A,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1173pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 85W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile154.380
BUK9637-100E,118
BUK9637-100E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2681pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile5.274
BUK963R1-40E,118
BUK963R1-40E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69.5nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9150pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 234W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.312
BUK963R2-40B,118
BUK963R2-40B,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.4nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±15V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10502pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile31.320
BUK963R3-60E,118
BUK963R3-60E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 13490pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 293W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.358
BUK9640-100A,118
BUK9640-100A,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±15V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3072pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 158W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.472
BUK964R1-40E,118
BUK964R1-40E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6650pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 182W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile35.034
BUK964R2-55B,118
BUK964R2-55B,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±15V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10220pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 300W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile2.826
BUK964R2-60E,118
BUK964R2-60E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11380pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 263W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile8.370
BUK964R2-80E,118
BUK964R2-80E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 80V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17130pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 349W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile29.904
BUK964R4-40B,118
BUK964R4-40B,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±15V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7124pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 254W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile65.382
BUK964R7-80E,118
BUK964R7-80E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 80V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.1nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15340pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 324W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile28.992
BUK964R8-60E,118
BUK964R8-60E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9710pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 234W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile54.312
BUK965R4-40E,118
BUK965R4-40E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4483pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 137W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile15.522
BUK965R8-100E,118

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 17460pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 357W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile17.514
BUK9660-100A,118
BUK9660-100A,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1924pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 106W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile33.972
BUK966R5-60E,118
BUK966R5-60E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 182W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile40.008
BUK9675-100A,118
BUK9675-100A,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±15V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1704pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 99W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile38.898
BUK9675-55A,118
BUK9675-55A,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 55V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 643pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 62W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile52.758
BUK968R3-40E,118

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 40V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 96W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile3.708
BUK969R0-60E,118
BUK969R0-60E,118

Nexperia

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 60V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.8nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 137W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile28.740
BUK969R3-100E,118

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 100V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94.3nC @ 5V
  • Vgs (massimo): ±10V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 11650pF @ 25V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 263W (Tc)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
  • Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disponibile7.776