Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS61NLP204818A-166TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile4.140
IS61NLP204818A-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile2.178
IS61NLP204818A-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile3.816
IS61NLP204818A-166TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile4.698
IS61NLP204818B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile4.734
IS61NLP204818B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)	Disponibile2.538
IS61NLP204818B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile7.632
IS61NLP204818B-250B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 250MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 2.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile5.400
IS61NLP204836B-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile3.510
IS61NLP204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.346
IS61NLP25618A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 165BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)	Disponibile4.086
IS61NLP25618A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 165BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)	Disponibile3.204
IS61NLP25618A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 165BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)	Disponibile4.374
IS61NLP25618A-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 165BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)	Disponibile2.934
IS61NLP25618A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile7.110
IS61NLP25618A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile6.822
IS61NLP25618A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile8.064
IS61NLP25618A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.412
IS61NLP25618EC-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.454
IS61NLP25618EC-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile4.050
IS61NLP25636A-200B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile3.996
IS61NLP25636A-200B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile3.600
IS61NLP25636A-200B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile7.146
IS61NLP25636A-200B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 119-BBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)	Disponibile7.038
IS61NLP25636A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile5.256
IS61NLP25636A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile7.290
IS61NLP25636A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile2.286
IS61NLP25636A-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)	Disponibile8.352
IS61NLP25636A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile2.880
IS61NLP25636A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.1ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)	Disponibile5.994

IS61NLP204818A-166TQ

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile4.140

IS61NLP204818A-166TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile2.178

IS61NLP204818A-166TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile3.816

IS61NLP204818A-166TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile4.698

IS61NLP204818B-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile4.734

IS61NLP204818B-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-LQFP (14x20)

Disponibile2.538

IS61NLP204818B-250B3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile7.632

IS61NLP204818B-250B3L-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 36M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 36Mb (2M x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 250MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 2.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile5.400

IS61NLP204836B-166TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile3.510

IS61NLP204836B-166TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 72Mb (2M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.346

IS61NLP25618A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)

Disponibile4.086

IS61NLP25618A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)

Disponibile3.204

IS61NLP25618A-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)

Disponibile4.374

IS61NLP25618A-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-PBGA (13x15)

Disponibile2.934

IS61NLP25618A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile7.110

IS61NLP25618A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile6.822

IS61NLP25618A-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile8.064

IS61NLP25618A-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.412

IS61NLP25618EC-200TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.454

IS61NLP25618EC-200TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 4.5Mb (256K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile4.050

IS61NLP25636A-200B2I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile3.996

IS61NLP25636A-200B2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile3.600

IS61NLP25636A-200B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile7.146

IS61NLP25636A-200B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 119-BBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 119-PBGA (14x22)

Disponibile7.038

IS61NLP25636A-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile5.256

IS61NLP25636A-200B3I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile7.290

IS61NLP25636A-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile2.286

IS61NLP25636A-200B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 165-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 165-TFBGA (13x15)

Disponibile8.352

IS61NLP25636A-200TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile2.880

IS61NLP25636A-200TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.1ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x20)

Disponibile5.994

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