Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS49RL36160-093BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.066GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile4.986
IS49RL36160-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.066GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile4.356
IS49RL36160-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1.066GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile2.250
IS49RL36160-107BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile5.022
IS49RL36160-107BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile4.410
IS49RL36160-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile269
IS49RL36160-107EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile5.724
IS49RL36160-125BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile2.214
IS49RL36160-125BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile6.660
IS49RL36160-125EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile7.668
IS49RL36160-125EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: DRAM Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	Disponibile8.928
IS61C1024-15JI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 15ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile2.034
IS61C1024AL-12HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP I	Disponibile8.694
IS61C1024AL-12HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP I	Disponibile6.678
IS61C1024AL-12JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile3.454
IS61C1024AL-12JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile6.264
IS61C1024AL-12KI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile3.870
IS61C1024AL-12KI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile7.902
IS61C1024AL-12KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile192
IS61C1024AL-12KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ	Disponibile3.544
IS61C1024AL-12TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I	Disponibile3.096
IS61C1024AL-12TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I	Disponibile2.232
IS61C1024AL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I	Disponibile7.269
IS61C1024AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 12ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I	Disponibile7.200
IS61C25616AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile8.730
IS61C25616AL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ	Disponibile7.038
IS61C25616AL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile6
IS61C25616AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns Tempo di accesso: 10ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile5.004
IS61C25616AS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.112
IS61C25616AS-25TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns Tempo di accesso: 25ns Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II	Disponibile8.658

IS49RL36160-093BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.066GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile4.986

IS49RL36160-093EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.066GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile4.356

IS49RL36160-093EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1.066GHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile2.250

IS49RL36160-107BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile5.022

IS49RL36160-107BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile4.410

IS49RL36160-107EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile269

IS49RL36160-107EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile5.724

IS49RL36160-125BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile2.214

IS49RL36160-125BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile6.660

IS49RL36160-125EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile7.668

IS49RL36160-125EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: DRAM
Dimensione della memoria: 576Mb (16M x 36)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 1.28V ~ 1.42V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-LBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

Disponibile8.928

IS61C1024-15JI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 15ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile2.034

IS61C1024AL-12HLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP I

Disponibile8.694

IS61C1024AL-12HLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-sTSOP I

Disponibile6.678

IS61C1024AL-12JLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile3.454

IS61C1024AL-12JLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile6.264

IS61C1024AL-12KI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile3.870

IS61C1024AL-12KI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile7.902

IS61C1024AL-12KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile192

IS61C1024AL-12KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-SOJ

Disponibile3.544

IS61C1024AL-12TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I

Disponibile3.096

IS61C1024AL-12TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I

Disponibile2.232

IS61C1024AL-12TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I

Disponibile7.269

IS61C1024AL-12TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 12ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 32-TSOP I

Disponibile7.200

IS61C25616AL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile8.730

IS61C25616AL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-SOJ

Disponibile7.038

IS61C25616AL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile6

IS61C25616AL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
Tempo di accesso: 10ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile5.004

IS61C25616AS-25TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.112

IS61C25616AS-25TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria: 4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 25ns
Tempo di accesso: 25ns
Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 44-TSOP II

Disponibile8.658

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