Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS46LR32160B-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile4.716
IS46LR32160B-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.736
IS46LR32160B-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile7.920
IS46LR32160C-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile4.086
IS46LR32160C-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile7.434
IS46LR32160C-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile2.574
IS46LR32160C-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)	Disponibile8.154
IS46R16160D-5BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile8.604
IS46R16160D-5BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile8.964
IS46R16160D-5TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile4.374
IS46R16160D-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile6.606
IS46R16160D-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile8.838
IS46R16160D-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile4.122
IS46R16160D-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile2.100
IS46R16160D-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)	Disponibile7.902
IS46R16160D-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile5.814
IS46R16160D-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile5.544
IS46R16160D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile6.300
IS46R16160D-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile7.020
IS46R16160F-5BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile2.646
IS46R16160F-5BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile8.010
IS46R16160F-5TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile6.930
IS46R16160F-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile8.892
IS46R16160F-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile8.892
IS46R16160F-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile7.956
IS46R16160F-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile7.020
IS46R16160F-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)	Disponibile4.428
IS46R16160F-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile3.294
IS46R16160F-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile8.406
IS46R16160F-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile5.148

IS46LR32160B-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile4.716

IS46LR32160B-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.736

IS46LR32160B-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile7.920

IS46LR32160C-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile4.086

IS46LR32160C-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile7.434

IS46LR32160C-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile2.574

IS46LR32160C-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)

Disponibile8.154

IS46R16160D-5BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile8.604

IS46R16160D-5BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile8.964

IS46R16160D-5TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile4.374

IS46R16160D-5TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile6.606

IS46R16160D-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile8.838

IS46R16160D-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile4.122

IS46R16160D-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile2.100

IS46R16160D-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x13)

Disponibile7.902

IS46R16160D-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile5.814

IS46R16160D-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile5.544

IS46R16160D-6TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile6.300

IS46R16160D-6TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile7.020

IS46R16160F-5BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile2.646

IS46R16160F-5BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile8.010

IS46R16160F-5TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile6.930

IS46R16160F-5TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile8.892

IS46R16160F-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile8.892

IS46R16160F-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile7.956

IS46R16160F-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile7.020

IS46R16160F-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (13x8)

Disponibile4.428

IS46R16160F-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile3.294

IS46R16160F-6TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile8.406

IS46R16160F-6TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile5.148

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