Circuiti integrati di memoria

IS45S16100H-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)

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IS45S16100H-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)

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IS45S16100H-7BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (6.4x10.1)

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IS45S16100H-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II

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IS45S16100H-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II

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IS45S16100H-7TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II

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IS45S16100H-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 16M PARALLEL 143MHZ

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 16Mb (1M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.5ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 50-TSOP II

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IS45S16160D-6BLA1

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Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

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IS45S16160D-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

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IS45S16160D-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

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IS45S16160D-7BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160D-7TLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160D-7TLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160D-7TLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160G-6CTLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160G-6CTLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160G-6TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160G-6TLA1 -TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160G-7BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS45S16160G-7BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS45S16160G-7BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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IS45S16160G-7BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160G-7CTLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160G-7CTLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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IS45S16160G-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 143MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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