Circuiti integrati di memoria

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IS43TR16128AL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile5.796
IS43TR16128AL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile6.822
IS43TR16128B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 195ps Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile5.004
IS43TR16128B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 195ps Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile7.254
IS43TR16128B-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 195ps Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile5.130
IS43TR16128B-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 195ps Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile3.132
IS43TR16128B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile12.191
IS43TR16128B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile6.132
IS43TR16128B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile3.456
IS43TR16128B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile4.716
IS43TR16128B-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile15.948
IS43TR16128B-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile2.852
IS43TR16128B-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile5.994
IS43TR16128B-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile6.480
IS43TR16128BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile34.548
IS43TR16128BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile5.292
IS43TR16128BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile4.986
IS43TR16128BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile4.410
IS43TR16128BL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile18.084
IS43TR16128BL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile8.352
IS43TR16128BL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile4.158
IS43TR16128BL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile4.554
IS43TR16128C-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 195ps Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile4.320
IS43TR16128C-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 195ps Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile4.086
IS43TR16128C-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 195ps Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile3.708
IS43TR16128C-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 195ps Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile6.084
IS43TR16128C-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile3.762
IS43TR16128C-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile53.709
IS43TR16128C-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile1.202
IS43TR16128C-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3 Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)	Disponibile6.228

IS43TR16128AL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile5.796

IS43TR16128AL-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile6.822

IS43TR16128B-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 195ps
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile5.004

IS43TR16128B-107MBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 195ps
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile7.254

IS43TR16128B-107MBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 195ps
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile5.130

IS43TR16128B-107MBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 195ps
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile3.132

IS43TR16128B-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile12.191

IS43TR16128B-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile6.132

IS43TR16128B-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile3.456

IS43TR16128B-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile4.716

IS43TR16128B-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile15.948

IS43TR16128B-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile2.852

IS43TR16128B-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile5.994

IS43TR16128B-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile6.480

IS43TR16128BL-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile34.548

IS43TR16128BL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile5.292

IS43TR16128BL-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile4.986

IS43TR16128BL-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile4.410

IS43TR16128BL-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile18.084

IS43TR16128BL-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile8.352

IS43TR16128BL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile4.158

IS43TR16128BL-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile4.554

IS43TR16128C-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 195ps
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile4.320

IS43TR16128C-107MBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 195ps
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile4.086

IS43TR16128C-107MBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 195ps
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile3.708

IS43TR16128C-107MBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 195ps
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile6.084

IS43TR16128C-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile3.762

IS43TR16128C-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile53.709

IS43TR16128C-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile1.202

IS43TR16128C-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria: 2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.425V ~ 1.575V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-TWBGA (9x13)

Disponibile6.228

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