Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IS43DR16320D-25DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile8.424
IS43DR16320D-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile3.132
IS43DR16320D-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile4.406
IS43DR16320D-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile8.208
IS43DR16320D-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile7.686
IS43DR16320D-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile4.824
IS43DR16320D-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile5.994
IS43DR16320D-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile5.310
IS43DR16320D-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile20.728
IS43DR16320D-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile7.920
IS43DR16320D-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile5.616
IS43DR16320E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile8.676
IS43DR16320E-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile7.776
IS43DR16320E-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile892
IS43DR16320E-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile6.600
IS43DR16320E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile6.324
IS43DR16320E-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile6.390
IS43DR16640A-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x13.65)	Disponibile8.550
IS43DR16640B-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-WBGA (8x12.5)	Disponibile15.840
IS43DR16640B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-WBGA (8x12.5)	Disponibile22.090
IS43DR16640B-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-WBGA (8x12.5)	Disponibile8.856
IS43DR16640B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-WBGA (8x12.5)	Disponibile7.542
IS43DR16640B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile2.340
IS43DR16640B-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile3.132
IS43DR16640B-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile2.826
IS43DR16640B-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile7.164
IS43DR16640B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile4.554
IS43DR16640B-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile7.776
IS43DR16640B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile7.200
IS43DR16640B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)	Disponibile22.079

IS43DR16320D-25DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile8.424

IS43DR16320D-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile3.132

IS43DR16320D-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile4.406

IS43DR16320D-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile8.208

IS43DR16320D-25DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile7.686

IS43DR16320D-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile4.824

IS43DR16320D-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile5.994

IS43DR16320D-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile5.310

IS43DR16320D-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile20.728

IS43DR16320D-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile7.920

IS43DR16320D-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile5.616

IS43DR16320E-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile8.676

IS43DR16320E-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile7.776

IS43DR16320E-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile892

IS43DR16320E-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile6.600

IS43DR16320E-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile6.324

IS43DR16320E-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile6.390

IS43DR16640A-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x13.65)

Disponibile8.550

IS43DR16640B-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-WBGA (8x12.5)

Disponibile15.840

IS43DR16640B-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-WBGA (8x12.5)

Disponibile22.090

IS43DR16640B-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-WBGA (8x12.5)

Disponibile8.856

IS43DR16640B-25DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-WBGA (8x12.5)

Disponibile7.542

IS43DR16640B-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile2.340

IS43DR16640B-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile3.132

IS43DR16640B-25EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile2.826

IS43DR16640B-25EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile7.164

IS43DR16640B-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile4.554

IS43DR16640B-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile7.776

IS43DR16640B-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile7.200

IS43DR16640B-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-TWBGA (8x12.5)

Disponibile22.079

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