Circuiti integrati di memoria

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IS42VM16160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile6.822
IS42VM16160K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile2.394
IS42VM16160K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile8.028
IS42VM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile21.144
IS42VM16160K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile6.012
IS42VM16200C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile5.418
IS42VM16200C-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile4.986
IS42VM16200D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile2.412
IS42VM16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile7.200
IS42VM16200D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile7.218
IS42VM16200D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile5.850
IS42VM16320D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile8.406
IS42VM16320D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile5.076
IS42VM16320D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile5.562
IS42VM16320D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)	Disponibile8.118
IS42VM16320E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile8.640
IS42VM16320E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile3.400
IS42VM16320E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile3.528
IS42VM16320E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile2.556
IS42VM16400K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile7.992
IS42VM16400K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile5.364
IS42VM16400K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile1.316
IS42VM16400K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile5.220
IS42VM16400M-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile6.318
IS42VM16400M-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile6.660
IS42VM16400M-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile4.248
IS42VM16400M-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 6ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile2.286
IS42VM16800E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile7.434
IS42VM16800E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile6.282
IS42VM16800G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 5.5ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)	Disponibile6.696

IS42VM16160E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile6.822

IS42VM16160K-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile2.394

IS42VM16160K-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile8.028

IS42VM16160K-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile21.144

IS42VM16160K-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile6.012

IS42VM16200C-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile5.418

IS42VM16200C-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile4.986

IS42VM16200D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile2.412

IS42VM16200D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile7.200

IS42VM16200D-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile7.218

IS42VM16200D-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 32Mb (2M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile5.850

IS42VM16320D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile8.406

IS42VM16320D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile5.076

IS42VM16320D-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile5.562

IS42VM16320D-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x13)

Disponibile8.118

IS42VM16320E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile8.640

IS42VM16320E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile3.400

IS42VM16320E-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile3.528

IS42VM16320E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile2.556

IS42VM16400K-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile7.992

IS42VM16400K-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile5.364

IS42VM16400K-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile1.316

IS42VM16400K-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile5.220

IS42VM16400M-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile6.318

IS42VM16400M-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile6.660

IS42VM16400M-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile4.248

IS42VM16400M-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 6ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile2.286

IS42VM16800E-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile7.434

IS42VM16800E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile6.282

IS42VM16800G-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 5.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TFBGA (8x8)

Disponibile6.696

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