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IS42S32400B-6TL-TR
IS42S32400B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile6.408
IS42S32400B-6T-TR
IS42S32400B-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile3.726
IS42S32400B-7B
IS42S32400B-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile6.318
IS42S32400B-7BI
IS42S32400B-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile6.606
IS42S32400B-7BI-TR
IS42S32400B-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile4.824
IS42S32400B-7BL
IS42S32400B-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile6.246
IS42S32400B-7BLI
IS42S32400B-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile2.592
IS42S32400B-7BLI-TR
IS42S32400B-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile7.938
IS42S32400B-7BL-TR
IS42S32400B-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile5.292
IS42S32400B-7B-TR
IS42S32400B-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile3.544
IS42S32400B-7T
IS42S32400B-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile2.322
IS42S32400B-7TI
IS42S32400B-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile4.716
IS42S32400B-7TI-TR
IS42S32400B-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile2.898
IS42S32400B-7TL
IS42S32400B-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile2.448
IS42S32400B-7TLI
IS42S32400B-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile17.566
IS42S32400B-7TLI-TR
IS42S32400B-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile4.032
IS42S32400B-7TL-TR
IS42S32400B-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile3.744
IS42S32400B-7T-TR
IS42S32400B-7T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile5.130
IS42S32400D-6B
IS42S32400D-6B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile5.220
IS42S32400D-6B-TR
IS42S32400D-6B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile8.604
IS42S32400D-6T
IS42S32400D-6T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile6.174
IS42S32400D-6T-TR
IS42S32400D-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile7.146
IS42S32400D-7B
IS42S32400D-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile2.646
IS42S32400D-7BI
IS42S32400D-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile5.148
IS42S32400D-7BI-TR
IS42S32400D-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile6.678
IS42S32400D-7B-TR
IS42S32400D-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-TFBGA (8x13)
Disponibile8.118
IS42S32400D-7T
IS42S32400D-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile3.402
IS42S32400D-7TI
IS42S32400D-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile3.544
IS42S32400D-7TI-TR
IS42S32400D-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile3.438
IS42S32400D-7T-TR
IS42S32400D-7T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 86-TSOP II
Disponibile5.652