Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IDT71V67803S166PF8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 3.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile2.070
IDT71V67903S75PF IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile6.120
IDT71V67903S75PF8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile5.094
IDT71V67903S75PFI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile5.850
IDT71V67903S75PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 117MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 7.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile3.906
IDT71V67903S80PF IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.608
IDT71V67903S80PF8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile8.118
IDT71V67903S80PFI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile5.148
IDT71V67903S80PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile5.526
IDT71V67903S85PF IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile3.780
IDT71V67903S85PF8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile4.788
IDT71V67903S85PFI IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile3.580
IDT71V67903S85PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Memoria IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: SRAM Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 87MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 8.5ns Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)	Disponibile6.606
IS21ES04G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND (MLC) Dimensione della memoria: 32Gb (4G x 8) Interfaccia di memoria: eMMC Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 153-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 153-VFBGA (11.5x13)	Disponibile42
IS21ES04G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND (MLC) Dimensione della memoria: 32Gb (4G x 8) Interfaccia di memoria: eMMC Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 153-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 153-VFBGA (11.5x13)	Disponibile583
IS21ES08G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND (MLC) Dimensione della memoria: 64Gb (8G x 8) Interfaccia di memoria: eMMC Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 153-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 153-VFBGA (11.5x13)	Disponibile7.548
IS21ES08G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH - NAND (MLC) Dimensione della memoria: 64Gb (8G x 8) Interfaccia di memoria: eMMC Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 153-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 153-VFBGA (11.5x13)	Disponibile403
IS25CD010-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8TSSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile5.544
IS25CD010-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.454
IS25CD010-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.924
IS25CD025-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8TSSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile6.120
IS25CD025-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8TSSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile3.798
IS25CD025-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.500
IS25CD025-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.032
IS25CD512-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8TSSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.982
IS25CD512-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8TSSOP Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile6.138
IS25CD512-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8WSON Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x5)	Disponibile2.340
IS25CD512-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8WSON Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x5)	Disponibile8.154
IS25CD512-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.004
IS25CD512-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Memoria IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8SOIC Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH Tecnologia: FLASH Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria: SPI Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile6.390

IDT71V67803S166PF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 3.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile2.070

IDT71V67903S75PF

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile6.120

IDT71V67903S75PF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile5.094

IDT71V67903S75PFI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile5.850

IDT71V67903S75PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 117MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 7.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile3.906

IDT71V67903S80PF

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.608

IDT71V67903S80PF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile8.118

IDT71V67903S80PFI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile5.148

IDT71V67903S80PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile5.526

IDT71V67903S85PF

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile3.780

IDT71V67903S85PF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile4.788

IDT71V67903S85PFI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile3.580

IDT71V67903S85PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: SRAM
Tecnologia: SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria: 9Mb (512K x 18)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 87MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 8.5ns
Tensione - Alimentazione: 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 100-LQFP
Pacchetto dispositivo fornitore: 100-TQFP (14x14)

Disponibile6.606

IS21ES04G-JCLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
Dimensione della memoria: 32Gb (4G x 8)
Interfaccia di memoria: eMMC
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 153-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 153-VFBGA (11.5x13)

Disponibile42

IS21ES04G-JCLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
Dimensione della memoria: 32Gb (4G x 8)
Interfaccia di memoria: eMMC
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 153-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 153-VFBGA (11.5x13)

Disponibile583

IS21ES08G-JCLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
Dimensione della memoria: 64Gb (8G x 8)
Interfaccia di memoria: eMMC
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 153-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 153-VFBGA (11.5x13)

Disponibile7.548

IS21ES08G-JCLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH - NAND (MLC)
Dimensione della memoria: 64Gb (8G x 8)
Interfaccia di memoria: eMMC
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 153-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 153-VFBGA (11.5x13)

Disponibile403

IS25CD010-JDLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8TSSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile5.544

IS25CD010-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile5.454

IS25CD010-JNLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile3.924

IS25CD025-JDLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8TSSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile6.120

IS25CD025-JDLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8TSSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile3.798

IS25CD025-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile4.500

IS25CD025-JNLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile4.032

IS25CD512-JDLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8TSSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile8.982

IS25CD512-JDLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8TSSOP

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP

Disponibile6.138

IS25CD512-JKLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8WSON

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x5)

Disponibile2.340

IS25CD512-JKLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8WSON

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-WSON (6x5)

Disponibile8.154

IS25CD512-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile5.004

IS25CD512-JNLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Memoria

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8SOIC

Produttore: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH
Tecnologia: FLASH
Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
Interfaccia di memoria: SPI
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC

Disponibile6.390

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