Circuiti integrati di memoria

DS28E10P-W26+1T

Maxim Integrated

Memoria

IC POWER MANAGEMENT

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EPROM
• Tecnologia: EPROM - OTP
• Dimensione della memoria: 224b (28 x 8)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.8V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOC

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DS28E10R+T

Maxim Integrated

Memoria

IC EPROM 224 1WIRE

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EPROM
• Tecnologia: EPROM - OTP
• Dimensione della memoria: 224b (28 x 8)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.8V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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DS28E10R-W15+1T

Maxim Integrated

Memoria

IC POWER MANAGEMENT

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EPROM
• Tecnologia: EPROM - OTP
• Dimensione della memoria: 224b (28 x 8)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 2.8V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3

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DS28E11P+

Maxim Integrated

Memoria

1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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DS28E11P+T

Maxim Integrated

Memoria

1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC T

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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DS28E80Q+T

Maxim Integrated

Memoria

IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (2K x 1)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 2µs
• Tensione - Alimentazione: 2.97V ~ 3.63V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TDFN-EP (3x3)

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DS28E80Q+U

Maxim Integrated

Memoria

IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (2K x 1)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 2µs
• Tensione - Alimentazione: 2.97V ~ 3.63V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TDFN-EP (3x3)

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DS28E81+

Maxim Integrated

Memoria

RADIATION RESISTANT

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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DS28E81P+

Maxim Integrated

Memoria

RADIATION RESISTANT

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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DS28E81P+T

Maxim Integrated

Memoria

RADIATION RESISTANT

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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DS28E81+T

Maxim Integrated

Memoria

RADIATION RESISTANT

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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DS28EC20+

Maxim Integrated

Memoria

IC EEPROM 20K 1WIRE TO92-3

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 20Kb (256 x 80)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3

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DS28EC20P+

Maxim Integrated

Memoria

IC EEPROM 20K 1WIRE 6TSOC

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 20Kb (256 x 80)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOC

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DS28EC20P+T

Maxim Integrated

Memoria

IC EEPROM 20K 1WIRE 6TSOC

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 20Kb (256 x 80)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOC

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DS28EC20Q+T

Maxim Integrated

Memoria

1-W 20K EEPROM TDFN

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 20Kb (256 x 80)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TDFN-EP (3x3)

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DS28EC20Q+U

Maxim Integrated

Memoria

1-W 20K EEPROM TDFN

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 20Kb (256 x 80)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TDFN-EP (3x3)

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DS28EC20+T

Maxim Integrated

Memoria

IC EEPROM 20K 1WIRE TO92-3

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 20Kb (256 x 80)
• Interfaccia di memoria: 1-Wire®
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3

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DS3030W-100#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 256K PARALLEL 256BGA

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 256-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 256-BGA (27x27)

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DS3045W-100#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 256BGA

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 256-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 256-BGA (27x27)

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DS3050W-100#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 256BGA

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 256-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 256-BGA (27x27)

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DS3065W-100#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 256BGA

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 256-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 256-BGA (27x27)

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DS3065WP-100IND+

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 34PWRCAP

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 34-PowerCap™ Module
• Pacchetto dispositivo fornitore: 34-PowerCap Module

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DS3070W-100#

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 16M PARALLEL 256BGA

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 100ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 256-BGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 256-BGA (27x27)

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DS3645B

Maxim Integrated

Memoria

IC

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 49-LFBGA, CSPBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 49-CSBGA (7x7)

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DS3803-70

Maxim Integrated

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 72SIMM

• Produttore: Maxim Integrated
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: NVSRAM
• Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8, 32K x 32, 64K x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
• Tempo di accesso: 70ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Socket
• Pacchetto / Custodia: 72-SIMM
• Pacchetto dispositivo fornitore: 72-SIMM

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DSM2150F5V-12T6

STMicroelectronics

Memoria

IC FLASH 4M PARALLEL 80TQFP

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 120ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 80-TQFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 80-TQFP (12x12)

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DSM2180F3-90K6

STMicroelectronics

Memoria

IC FLASH 1M PARALLEL 52PLCC

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 90ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 52-LCC (J-Lead)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 52-PLCC (19.1x19.1)

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DSM2180F3-90T6

STMicroelectronics

Memoria

IC FLASH 1M PARALLEL 52PQFP

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 90ns
• Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 52-QFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 52-PQFP (10x10)

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DSM2180F3V-15K6

STMicroelectronics

Memoria

IC FLASH 1M PARALLEL 52PLCC

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 150ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 52-LCC (J-Lead)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 52-PLCC (19.1x19.1)

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DSM2180F3V-15T6

STMicroelectronics

Memoria

IC FLASH 1M PARALLEL 52PQFP

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH
• Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 150ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 52-QFP
• Pacchetto dispositivo fornitore: 52-PQFP (10x10)

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