Circuiti integrati di memoria

BR93G46FJ-3AGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 1KBIT(64X16BIT) EE

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J

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BR93G46FJ-3GTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 1KBIT(64X16BIT) EE

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J

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BR93G46FV-3BGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 1KBIT(64X16BIT) EE

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SSOPB

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BR93G46FVJ-3AGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

SERIAL EEPROM OF SERIAL 3-LINE I

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-BJ

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BR93G46FVM-3AGTTR

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 1KBIT(64X16BIT) EE

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP

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BR93G46FVM-3GTTR

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 1KBIT(64X16BIT) EE

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP

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BR93G46FVT-3AGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 1KBIT(64X16BIT) EE

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B

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BR93G46FVT-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 1KBIT(64X16BIT) EE

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B

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BR93G46NUX-3ATTR

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 1KBIT(64X16BIT) EE

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 1Kb (64 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-UFDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: VSON008X2030

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BR93G56-3A

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 2KBIT(128X16BIT) E

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DIP

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BR93G56F-3AGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 2KBIT(128X16BIT) E

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP

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BR93G56F-3BGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 2KBIT(128X16BIT) E

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP

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BR93G56F-3GTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 2KBIT(128X16BIT) E

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP

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BR93G56FJ-3AGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 2KBIT(128X16BIT) E

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J

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BR93G56FJ-3GTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 2KBIT(128X16BIT) E

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J

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BR93G56FVJ-3AGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8TSSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-BJ

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BR93G56FVJ-3BGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8TSSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-BJ

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BR93G56FVJ-3GTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8TSSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-BJ

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BR93G56FVM-3AGTTR

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8MSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP

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BR93G56FVM-3BGTTR

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8MSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP

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BR93G56FVM-3GTTR

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8MSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP

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BR93G56FVT-3AGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8TSSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B

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BR93G56FVT-3BGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8TSSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B

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BR93G56FVT-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8TSSOP

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B

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BR93G56NUX-3ATTR

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI VSON008X2030

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-UFDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: VSON008X2030

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BR93G56NUX-3BTTR

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI VSON008X2030

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-UFDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: VSON008X2030

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BR93G56NUX-3TTR

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 2K SPI VSON008X2030

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-UFDFN Exposed Pad
• Pacchetto dispositivo fornitore: VSON008X2030

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BR93G66F-3AGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP

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BR93G66F-3BGTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP

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BR93G66F-3GTE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: EEPROM
• Tecnologia: EEPROM
• Dimensione della memoria: 4Kb (256 x 16)
• Interfaccia di memoria: SPI
• Frequenza di clock: 3MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 5.5V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP

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