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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
Quantità
BR25160N-10SU-2.7
BR25160N-10SU-2.7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8SOIC

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 3MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC
Disponibile7.614
BR25320N-10SU-1.8
BR25320N-10SU-1.8

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 32K SPI 3MHZ 8SOIC

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 3MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC
Disponibile2.322
BR25320N-10SU-2.7
BR25320N-10SU-2.7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 32K SPI 3MHZ 8SOIC

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 3MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC
Disponibile2.070
BR25640N-10SU-2.7
BR25640N-10SU-2.7

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 64K SPI 3MHZ 8SOIC

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 64Kb (8K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 3MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC
Disponibile5.184
BR25A1MF-3MGE2
BR25A1MF-3MGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOP

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.004
BR25A1MFJ-3MGE2
BR25A1MFJ-3MGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOPJ

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile4.590
BR25A256F-3MGE2
BR25A256F-3MGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

MEMORY EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile26.286
BR25A256FJ-3MGE2
BR25A256FJ-3MGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

105°C OPERATION SPI BUS EEPR

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile26.046
BR25A256FVT-3MGE2
BR25A256FVT-3MGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

105°C OPERATION SPI BUS EEPR

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B
Disponibile4.410
BR25A512F-3MGE2
BR25A512F-3MGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

105°C OPERATION SPI BUS EEPR

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile21.102
BR25A512FJ-3MGE2
BR25A512FJ-3MGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

105°C OPERATION SPI BUS EEPR

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile5.526
BR25A512FVT-3MGE2
BR25A512FVT-3MGE2

Rohm Semiconductor

Memoria

105°C OPERATION SPI BUS EEPR

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B
Disponibile2.484
BR25G128F-3GE2
BR25G128F-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile2.682
BR25G128FJ-3GE2
BR25G128FJ-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile4.176
BR25G128FVM-3GTR
BR25G128FVM-3GTR

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP
Disponibile8.190
BR25G128FVT-3GE2
BR25G128FVT-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 128K SPI 20MHZ 8TSSOP

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B
Disponibile8.802
BR25G128NUX-3TR
BR25G128NUX-3TR

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 128K SPI VSON008X2030

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 128Kb (16K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-UFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: VSON008X2030
Disponibile32.964
BR25G1MF-3GE2
BR25G1MF-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOP

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile25.998
BR25G1MFJ-3GE2
BR25G1MFJ-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOPJ

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile6.912
BR25G256-3
BR25G256-3

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8DIP

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DIP-T
Disponibile2.952
BR25G256F-3GE2
BR25G256F-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile48.702
BR25G256FJ-3GE2
BR25G256FJ-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SOPJ

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile2.664
BR25G256FVT-3GE2
BR25G256FVT-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8TSSOP

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 256Kb (32K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B
Disponibile6.012
BR25G320F-3GE2
BR25G320F-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile3.546
BR25G320FJ-3GE2
BR25G320FJ-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile6.120
BR25G320FJ-E2
BR25G320FJ-E2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 32KB SOP-J8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile7.218
BR25G320FVT-3GE2
BR25G320FVT-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP-B
Disponibile7.398
BR25G320NUX-3TR
BR25G320NUX-3TR

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 32Kb (4K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 20MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.6V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-UFDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: VSON008X2030
Disponibile3.258
BR25G512F-3GE2
BR25G512F-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile2.178
BR25G512FJ-3GE2
BR25G512FJ-3GE2

Rohm Semiconductor

Memoria

SPI BUS EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 512Kb (64K x 8)
  • Interfaccia di memoria: SPI
  • Frequenza di clock: 10MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 1.8V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile3.132