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Disponibile
Quantità
BQ4013YMA-70N
BQ4013YMA-70N

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Disponibile8.766
BQ4013YMA-85
BQ4013YMA-85

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Disponibile5.490
BQ4013YMA-85N
BQ4013YMA-85N

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Disponibile980
BQ4014MB-120
BQ4014MB-120

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x52.96)
Disponibile120
BQ4014MB-85
BQ4014MB-85

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x52.96)
Disponibile7.308
BQ4014YMB-120
BQ4014YMB-120

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 120ns
  • Tempo di accesso: 120ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x52.96)
Disponibile5.058
BQ4014YMB-85
BQ4014YMB-85

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 2Mb (256K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x52.96)
Disponibile2.646
BQ4015LYMA-70N
BQ4015LYMA-70N

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Disponibile8.676
BQ4015MA-70
BQ4015MA-70

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Disponibile3.402
BQ4015MA-85
BQ4015MA-85

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Disponibile3.906
BQ4015YMA-70
BQ4015YMA-70

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Disponibile8.982
BQ4015YMA-85
BQ4015YMA-85

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 4Mb (512K x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 85ns
  • Tempo di accesso: 85ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 32-DIP Module (18.42x42.8)
Disponibile8.568
BQ4016MC-70
BQ4016MC-70

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.75V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-DIP Module (18.42x52.96)
Disponibile4.914
BQ4016YMC-70
BQ4016YMC-70

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 8Mb (1M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-DIP Module (18.42x52.96)
Disponibile4.392
BQ4017YMC-70
BQ4017YMC-70

Texas Instruments

Memoria

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36DIP

  • Produttore:
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: NVSRAM
  • Tecnologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Dimensione della memoria: 16Mb (2M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 70ns
  • Tempo di accesso: 70ns
  • Tensione - Alimentazione: 4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 36-DIP Module (18.42x52.96)
Disponibile2.808
BR24A01AFJ-WME2
BR24A01AFJ-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

EEPROM SERIAL-I2C 1K-BIT 128 X 8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile3.114
BR24A01AF-WLBH2
BR24A01AF-WLBH2

Rohm Semiconductor

Memoria

I2C BUS 1KBIT(128X8BIT) EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.136
BR24A01AF-WME2
BR24A01AF-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

EEPROM SERIAL-I2C 1K-BIT 128 X 8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 1Kb (128 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile4.032
BR24A02FJ-WME2
BR24A02FJ-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

EEPROM SERIAL-I2C 2K-BIT 256 X 8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile5.814
BR24A02FVM-WMTR
BR24A02FVM-WMTR

Rohm Semiconductor

Memoria

EEPROM SERIAL-I2C 2K-BIT 256 X 8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MSOP
Disponibile2.556
BR24A02F-WME2
BR24A02F-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

EEPROM SERIAL-I2C 2K-BIT 256 X 8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 2Kb (256 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile3.834
BR24A04FJ-WME2
BR24A04FJ-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8SOPJ

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile7.416
BR24A04F-WLBH2
BR24A04F-WLBH2

Rohm Semiconductor

Memoria

I2C BUS 4KBIT(512X8BIT) EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.460
BR24A04F-WME2
BR24A04F-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

EEPROM SERIAL-I2C 4K-BIT 512 X 8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 4Kb (512 x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile6.120
BR24A08FJ-WME2
BR24A08FJ-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOPJ

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile3.780
BR24A08F-WLBH2
BR24A08F-WLBH2

Rohm Semiconductor

Memoria

I2C BUS 8KBIT(1024X8BIT) EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile7.176
BR24A08F-WME2
BR24A08F-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

EEPROM SERIAL-I2C 8K-BIT 1K X 8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 8Kb (1K x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile8.586
BR24A16FJ-WME2
BR24A16FJ-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

EEPROM SERIAL-I2C 16K-BIT 2K X 8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP-J
Disponibile2.304
BR24A16F-WLBH2
BR24A16F-WLBH2

Rohm Semiconductor

Memoria

I2C BUS 16KBIT(2048X8BIT) EEPROM

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.094
BR24A16F-WME2
BR24A16F-WME2

Rohm Semiconductor

Memoria

EEPROM SERIAL-I2C 16K-BIT 2K X 8

  • Produttore: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Non-Volatile
  • Formato memoria: EEPROM
  • Tecnologia: EEPROM
  • Dimensione della memoria: 16Kb (2K x 8)
  • Interfaccia di memoria: I²C
  • Frequenza di clock: 400kHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 5ms
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 5.5V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP
Disponibile5.922