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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
Quantità
70V658S10BCG
70V658S10BCG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile6.390
70V658S10BF
70V658S10BF

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile8.136
70V658S10BF8
70V658S10BF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile4.446
70V658S10BFG
70V658S10BFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-FPBGA (15x15)
Disponibile7.920
70V658S10BFG8
70V658S10BFG8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-FPBGA (15x15)
Disponibile6.084
70V658S10DR
70V658S10DR

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-BFQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-PQFP (28x28)
Disponibile8.712
70V658S10DRG
70V658S10DRG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-BFQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-PQFP (28x28)
Disponibile4.140
70V658S12BC
70V658S12BC

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile2.754
70V658S12BC8
70V658S12BC8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile7.776
70V658S12BCI
70V658S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile3.276
70V658S12BCI8
70V658S12BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile4.770
70V658S12BF
70V658S12BF

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile3.996
70V658S12BF8
70V658S12BF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile3.798
70V658S12BFGI
70V658S12BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-FPBGA (15x15)
Disponibile8.442
70V658S12BFGI8
70V658S12BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208FPBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-FPBGA (15x15)
Disponibile3.870
70V658S12BFI
70V658S12BFI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile4.104
70V658S12BFI8
70V658S12BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile2.286
70V658S12DR
70V658S12DR

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-BFQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-PQFP (28x28)
Disponibile4.374
70V658S12DRI
70V658S12DRI

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 12ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-BFQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-PQFP (28x28)
Disponibile5.454
70V658S15BC
70V658S15BC

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile5.490
70V658S15BC8
70V658S15BC8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile2.196
70V658S15BF
70V658S15BF

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile149
70V658S15BF8
70V658S15BF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile8.388
70V658S15DR
70V658S15DR

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 15ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-BFQFP
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-PQFP (28x28)
Disponibile8.550
70V659S10BC
70V659S10BC

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile3.598
70V659S10BC8
70V659S10BC8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile3.816
70V659S10BCG
70V659S10BCG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 256-LBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 256-CABGA (17x17)
Disponibile6.876
70V659S10BF
70V659S10BF

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile5.760
70V659S10BF8
70V659S10BF8

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-CABGA (15x15)
Disponibile4.932
70V659S10BFG
70V659S10BFG

IDT, Integrated Device Technology

Memoria

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

  • Produttore: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: SRAM
  • Tecnologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Dimensione della memoria: 4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 10ns
  • Tempo di accesso: 10ns
  • Tensione - Alimentazione: 3.15V ~ 3.45V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 208-LFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 208-FPBGA (15x15)
Disponibile3.312