Circuiti integrati di memoria

S29GL512S10DHSS50

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S10DHSS60

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S10DHSS63

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (9x9)

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S29GL512S10FAI013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FAI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FAI023

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHI010

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Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHI020

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Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHI023

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS20

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS23

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS30

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Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS33

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS40

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS43

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS50

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS53

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS60

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10FHSS63

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-Fortified BGA (13x11)

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S29GL512S10GHI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-FBGA (9x7)

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S29GL512S10GHI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-FBGA (9x7)

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S29GL512S10SFI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 64-LBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 64-FBGA (13x11)

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S29GL512S10TFA010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP

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S29GL512S10TFA020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP

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S29GL512S10TFI010

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP

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S29GL512S10TFI013

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP

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S29GL512S10TFI020

Cypress Semiconductor

Memoria

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

• Produttore: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: GL-S
• Tipo di memoria: Non-Volatile
• Formato memoria: FLASH
• Tecnologia: FLASH - NOR
• Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 60ns
• Tempo di accesso: 100ns
• Tensione - Alimentazione: 2.7V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 56-TSOP

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