Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
FFSH5065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 50A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 50A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile10.632
FFSH5065A-F155 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE TO247 650V Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile9.108
FFSH5065B-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE 650V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 50A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 2030pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.250
FFSM0465A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE 650V 4A Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 4A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PQFN (8x8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.246
FFSM0665A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 6A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PQFN (8x8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.124
FFSM0865A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SBD 650V 8A 4PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile7.344
FFSM1065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SBD 650V 4PQFN Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile8.226
FFSM1265A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 12A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12.5A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PQFN (8x8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.052
FFSP0465A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 4A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 8.6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 4A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200mA @ 650V Capacità @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.032
FFSP05120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 5A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile5.886
FFSP0665A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 8.8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile14.892
FFSP08120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile13.692
FFSP0865A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 13A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 13A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile16.176
FFSP10120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.532
FFSP1065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile16.872
FFSP1065B-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE 650V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.366
FFSP1265A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile16.188
FFSP15120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile19.344
FFSP1665A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 16A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 16A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile14.688
FFSP20120A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.112
FFSP2065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 25A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 25A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile15.396
FFSP2065BDN-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE 650V 20A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile20.772
FFSP2065B-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE 650V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.428
FFSP3065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile14.244
FFSP3065B-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE 650V Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.608
FFSP4065BDN-F085 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli SIC DIODE 650V 40A Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.690
FFSPF0665A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 6A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 6A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2FS Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.922
FFSPF0865A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 8A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2FS Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.064
FFSPF1065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 10A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2FS Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile23.856
FFSPF2065A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli 650V 20A SIC SBD Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2FS Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile22.428

FFSH5065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 50A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 50A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile10.632

FFSH5065A-F155

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE TO247 650V

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 2530pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile9.108

FFSH5065B-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE 650V

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 50A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 2030pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.250

FFSM0465A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE 650V 4A

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 4A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 247pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PQFN (8x8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.246

FFSM0665A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 6A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 365pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PQFN (8x8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.124

FFSM0865A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SBD 650V 8A 4PQFN

Produttore: ON Semiconductor
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile7.344

FFSM1065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SBD 650V 4PQFN

Produttore: ON Semiconductor
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile8.226

FFSM1265A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 12A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12.5A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 4-PowerTSFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 4-PQFN (8x8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.052

FFSP0465A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 4A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8.6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 4A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200mA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 258pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.032

FFSP05120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 5A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile5.886

FFSP0665A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8.8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile14.892

FFSP08120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile13.692

FFSP0865A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 13A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 13A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile16.176

FFSP10120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.532

FFSP1065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile16.872

FFSP1065B-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE 650V

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.366

FFSP1265A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile16.188

FFSP15120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile19.344

FFSP1665A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 16A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 16A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile14.688

FFSP20120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: 1220pF @ 1V, 100KHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.112

FFSP2065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 25A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 25A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile15.396

FFSP2065BDN-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE 650V 20A

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile20.772

FFSP2065B-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE 650V

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.428

FFSP3065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1705pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile14.244

FFSP3065B-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE 650V

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.608

FFSP4065BDN-F085

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

SIC DIODE 650V 40A

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.690

FFSPF0665A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 6A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 6A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2FS
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.922

FFSPF0865A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 8A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2FS
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.064

FFSPF1065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 10A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2FS
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile23.856

FFSPF2065A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

650V 20A SIC SBD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220F-2FS
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile22.428

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