Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ES1GL RTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.148
ES1GL RUG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.784
ES1GL RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile25.344
ES1G-LTP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile104.304
ES1GLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore: SOD123W Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.902
ES1GLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore: SOD123W Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile145.236
ES1G M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.994
ES1G R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile53.964
ES1GRX Nexperia	Raddrizzatori - Singoli ES1GR SOD123 SOD2 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400nA @ 400V Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123W Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile2.628
ES1G-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (HSMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile7.758
ES1GTR SMC Diode Solutions	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A SMA Produttore: SMC Diode Solutions Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.700
ES1H ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SMA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC) Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile7.902
ES1HL M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.374
ES1HL MHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.866
ES1HL MQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.040
ES1HL MTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.470
ES1HL R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile32.190
ES1HL RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.340
ES1HL RHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.346
ES1HL RQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.146
ES1HL RTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.716
ES1HL RUG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.814
ES1HL RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.406
ES1HM2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.942
ES1HR3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V Capacità @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.894
ES1J ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A SMA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC) Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile986.124
ES1JAF ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD Produttore: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 34ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AD, SMAF Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AD (SMAF) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.610
ES1JE-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMAE) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile5.436
ES1JFL ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 600V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123F Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.592
ES1JFL RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123FL Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.372

ES1GL RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.148

ES1GL RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.784

ES1GL RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile25.344

ES1G-LTP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile104.304

ES1GLWHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123W
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD123W
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.902

ES1GLW RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123W
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD123W
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile145.236

ES1G M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.994

ES1G R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile53.964

ES1GRX

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

ES1GR SOD123 SOD2

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400nA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123W
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123W
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile2.628

ES1G-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (HSMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile7.758

ES1GTR

SMC Diode Solutions

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Produttore: SMC Diode Solutions
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.700

ES1H

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SMA

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile7.902

ES1HL M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.374

ES1HL MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.866

ES1HL MQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.040

ES1HL MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.470

ES1HL R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile32.190

ES1HL RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.340

ES1HL RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.346

ES1HL RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.146

ES1HL RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.716

ES1HL RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.814

ES1HL RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.406

ES1HM2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.942

ES1HR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 500V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 500V
Capacità @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.894

ES1J

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile986.124

ES1JAF

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD

Produttore: ON Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 34ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AD, SMAF
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AD (SMAF)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.610

ES1JE-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMAE)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile5.436

ES1JFL

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123F
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.592

ES1JFL RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-123FL
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.372

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