Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
ES1ALHRHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.428
ES1ALHRQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.376
ES1ALHRTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.212
ES1ALHRUG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.490
ES1ALHRVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile95.364
ES1AL M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.208
ES1AL MHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.264
ES1AL MQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.570
ES1AL MTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.192
ES1AL R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.976
ES1AL RFG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.784
ES1AL RHG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.392
ES1AL RQG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.784
ES1AL RTG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.330
ES1AL RUG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile5.256
ES1AL RVG Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.646
ES1A-LTP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile102.198
ES1A M2G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 16pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile3.546
ES1A-M3/5AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.344
ES1A-M3/61T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.154
ES1A R3G Taiwan Semiconductor Corporation	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 16pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.394
ES1A-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (HSMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile8.514
ES1B ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A SMA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 15ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile147.432
ES1B/1 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile2.232
ES1B-13 Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A SMA Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.496
ES1B-13-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A SMA Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: SMA Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile828.510
ES1B-E3/5AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.884
ES1B-E3/61T Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile335.388
ES1BE-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C	Disponibile54.378
ES1BHE3/5AT Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.596

ES1ALHRHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.428

ES1ALHRQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.376

ES1ALHRTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.212

ES1ALHRUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.490

ES1ALHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile95.364

ES1AL M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.208

ES1AL MHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.264

ES1AL MQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.570

ES1AL MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.192

ES1AL R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.976

ES1AL RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.784

ES1AL RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.392

ES1AL RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.784

ES1AL RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.330

ES1AL RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile5.256

ES1AL RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore: Sub SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.646

ES1A-LTP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile102.198

ES1A M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 16pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile3.546

ES1A-M3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.344

ES1A-M3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.154

ES1A R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttore: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 16pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.394

ES1A-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (HSMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile8.514

ES1B

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 15ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: SMA (DO-214AC)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile147.432

ES1B/1

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile2.232

ES1B-13

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.496

ES1B-13-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: SMA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile828.510

ES1B-E3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.884

ES1B-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile335.388

ES1BE-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

Disponibile54.378

ES1BHE3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.596

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