Diodi e raddrizzatori

CMR3U-06M BK

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

• Produttore: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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CMR3U-06M TR13

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

• Produttore: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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CMR3U-06 TR13

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

• Produttore: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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CMR3U-10 BK

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC

• Produttore: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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CMR3U-10M BK

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 3A SMB

• Produttore: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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CMR3U-10M TR13

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1000V 3A SMC

• Produttore: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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CMR3U-10 TR13

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1000V 3A SMC

• Produttore: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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CMR5H-06 TR13

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 5A SMC

• Produttore: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 22ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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CMR5U-02 TR13

Central Semiconductor Corp

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 5A SMC

• Produttore: Central Semiconductor Corp
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 22ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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CMS01(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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CMS01(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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CMS02(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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CMS03(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS03(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS04(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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CMS04(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 8mA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: 330pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 800µA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: 330pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS06(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 2A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: 130pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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CMS07(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 2A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS08(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.5mA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

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CMS09(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS09(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: 70pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS10I30A(TE12L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A M-FLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 30V
• Capacità @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

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CMS10I40A(TE12L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A M-FLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 40V
• Capacità @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

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CMS10(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V
• Capacità @ Vr, F: 50pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS11(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 2A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS11(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 2A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 40V
• Capacità @ Vr, F: 95pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS14(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 60V 2A MFLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 60V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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CMS15I40A(TE12L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A M-FLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 1.5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 40V
• Capacità @ Vr, F: 62pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

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CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 60V
• Capacità @ Vr, F: 102pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SOD-128
• Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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