Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
APT60D100SG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 280ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.580
APT60D120BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 400ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.258
APT60D120SG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 400ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile285
APT60D20BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 60A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 31ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile7.542
APT60D30BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 38ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 300V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.464
APT60D40BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 37ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.318
APT60D60BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 60A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 130ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.672
APT60DQ100BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 255ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile532
APT60DQ120BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 320ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.736
APT60DQ60BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 60A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.912
APT60S20BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile8.550
APT60S20SG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile4.266
APT60S20SG/TR Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.930
APT75DQ100BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 75A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 250ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.954
APT75DQ120BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 75A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 325ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile3.418
APT75DQ60BG Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 75A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 75A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 31ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile14.460
APTDF400U120G Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 450A LP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 450A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 500A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 110ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: LP4 Pacchetto dispositivo fornitore: LP4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile6.444
APTDF430U100G Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 500A LP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 500A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 500A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 120ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: LP4 Pacchetto dispositivo fornitore: LP4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile2.466
APTDF450U60G Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 500A LP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 500A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 500A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 115ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: LP4 Pacchetto dispositivo fornitore: LP4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile6.252
APTDF500U20G Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 500A LP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 500A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 500A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: LP4 Pacchetto dispositivo fornitore: LP4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile6.060
APTDF500U40G Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 500A LP4 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 500A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 500A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 120ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: LP4 Pacchetto dispositivo fornitore: LP4 Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile6.492
AR1PDHM3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.966
AR1PDHM3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.412
AR1PD-M3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile26.700
AR1PD-M3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.930
AR1PGHM3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.376
AR1PGHM3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.536
AR1PG-M3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile70.866
AR1PG-M3/85A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile8.154
AR1PJHM3/84A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: eSMP® Tipo di diodo: Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile4.932

APT60D100SG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 280ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.580

APT60D120BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 400ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.258

APT60D120SG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 400ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile285

APT60D20BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 31ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile7.542

APT60D30BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 300V 60A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 300V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 38ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 300V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.464

APT60D40BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 37ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.318

APT60D60BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 130ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.672

APT60DQ100BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 255ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile532

APT60DQ120BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 320ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.736

APT60DQ60BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.912

APT60S20BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 75A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile8.550

APT60S20SG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 75A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore: D3 [S]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile4.266

APT60S20SG/TR

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 75A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 60A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore: D3Pak
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.930

APT75DQ100BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 75A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 75A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.954

APT75DQ120BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 75A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 75A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 325ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile3.418

APT75DQ60BG

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 75A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 75A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 31ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile14.460

APTDF400U120G

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 450A LP4

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 450A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 500A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 110ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: LP4
Pacchetto dispositivo fornitore: LP4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile6.444

APTDF430U100G

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 500A LP4

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 500A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 120ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: LP4
Pacchetto dispositivo fornitore: LP4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile2.466

APTDF450U60G

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 500A LP4

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 500A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 115ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: LP4
Pacchetto dispositivo fornitore: LP4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile6.252

APTDF500U20G

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 500A LP4

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 500A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 70ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: LP4
Pacchetto dispositivo fornitore: LP4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile6.060

APTDF500U40G

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 500A LP4

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 500A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 120ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: LP4
Pacchetto dispositivo fornitore: LP4
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile6.492

AR1PDHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.966

AR1PDHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.412

AR1PD-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile26.700

AR1PD-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.930

AR1PGHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.376

AR1PGHM3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.536

AR1PG-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile70.866

AR1PG-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile8.154

AR1PJHM3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: eSMP®
Tipo di diodo: Avalanche
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-220AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-220AA (SMP)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile4.932

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