Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
1N4151WS-HE3-08 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.408
1N4151WS-HE3-18 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile7.020
1N4152 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 30V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile3.888
1N4152_T50A ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 30V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile5.868
1N4152_T50R ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 30V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile3.546
1N4152TR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 30V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile7.848
1N4153 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile4.446
1N4153-1 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.164
1N4153_T50R ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile4.572
1N4153TR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile2.718
1N4153UR-1 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.184
1N4154 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile2.862
1N4154 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 2ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile7.650
1N4154_T50R ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile7.146
1N4154TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 25V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.788
1N4154TR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile5.130
1N4154TR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 25V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile74.898
1N4154TR_S00Z ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile6.174
1N4245 Semtech	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Produttore: Semtech Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: Axial Pacchetto dispositivo fornitore: Axial Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile2.754
1N4245 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.228
1N4245GP-M3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURPOSE DO-204AL Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile4.284
1N4245GP-M3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURPOSE DO-204AL Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: * Tipo di diodo: - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): - Corrente - Media Rettificata (Io): - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: - Velocità: - Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: - Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile5.238
1N4246 Semtech	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Produttore: Semtech Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: Axial Pacchetto dispositivo fornitore: Axial Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile7.110
1N4246 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.388
1N4246GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C	Disponibile8.190
1N4246GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C	Disponibile8.370
1N4246GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C	Disponibile6.714
1N4246GPHE3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C	Disponibile2.574
1N4246GP-M3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 880pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C	Disponibile2.100
1N4246GP-M3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C	Disponibile5.958

1N4151WS-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.408

1N4151WS-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile7.020

1N4152

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile3.888

1N4152_T50A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile5.868

1N4152_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile3.546

1N4152TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile7.848

1N4153

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile4.446

1N4153-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.164

1N4153_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile4.572

1N4153TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile2.718

1N4153UR-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.184

1N4154

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile2.862

1N4154

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 2ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile7.650

1N4154_T50R

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile7.146

1N4154TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 25V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.788

1N4154TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile5.130

1N4154TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 25V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile74.898

1N4154TR_S00Z

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 35V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 25V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile6.174

1N4245

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttore: Semtech Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile2.754

1N4245

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: A, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.228

1N4245GP-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile4.284

1N4245GP-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: *
Tipo di diodo: -
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): -
Corrente - Media Rettificata (Io): -
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
Velocità: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile5.238

1N4246

Semtech

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttore: Semtech Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: Axial
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile7.110

1N4246

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: A, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.388

1N4246GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C

Disponibile8.190

1N4246GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C

Disponibile8.370

1N4246GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C

Disponibile6.714

1N4246GPHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C

Disponibile2.574

1N4246GP-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 880pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C

Disponibile2.100

1N4246GP-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 160°C

Disponibile5.958

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