Diodi e raddrizzatori

Numero parte	Descrizione	Disponibile
GL34J-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 600V 500MA MINI MELF Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore: Mini MELF Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.770
GL34K-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 800V 500MA MINI MELF Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore: Mini MELF Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.340
GL34M-TP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 1KV 500MA MINI MELF Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore: Mini MELF Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.418
GL41A/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.268
GL41A-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.858
GL41A-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile273.546
GL41AHE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.562
GL41AHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.966
GL41B/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.022
GL41B-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile29.550
GL41B-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.402
GL41BHE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile43.338
GL41BHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile6.660
GL41D/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile3.384
GL41D-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile58.026
GL41D-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.140
GL41DHE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.362
GL41DHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.776
GL41G/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2.808
GL41G-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile487.446
GL41G-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.662
GL41GHE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.706
GL41GHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.266
GL41J/1 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.488
GL41J-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile35.028
GL41J-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.244
GL41JHE3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile8.208
GL41JHE3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.308
GL41K-E3/96 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile4.770
GL41K-E3/97 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.722

GL34J-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 600V 500MA MINI MELF

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Pacchetto dispositivo fornitore: Mini MELF
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.770

GL34K-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 800V 500MA MINI MELF

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Pacchetto dispositivo fornitore: Mini MELF
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.340

GL34M-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 1KV 500MA MINI MELF

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Pacchetto dispositivo fornitore: Mini MELF
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.418

GL41A/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.268

GL41A-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.858

GL41A-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile273.546

GL41AHE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.562

GL41AHE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.966

GL41B/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.022

GL41B-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile29.550

GL41B-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.402

GL41BHE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile43.338

GL41BHE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile6.660

GL41D/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile3.384

GL41D-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile58.026

GL41D-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.140

GL41DHE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.362

GL41DHE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.776

GL41G/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2.808

GL41G-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile487.446

GL41G-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.662

GL41GHE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.706

GL41GHE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.266

GL41J/1

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.488

GL41J-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile35.028

GL41J-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.244

GL41JHE3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile8.208

GL41JHE3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.308

GL41K-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile4.770

GL41K-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 800V
Capacità @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.722

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