Renesas Electronics America Inc. Transistor - FET, MOSFET - Singolo

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CategoriaSemiconduttori / Transistor / Transistor - FET, MOSFET - Singolo

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.

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Immagine	Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Quantità	Serie	Tipo FET	Tecnologia	Tensione Drain to Source (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzione FET	Dissipazione di potenza (max)	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto dispositivo fornitore	Pacchetto / Custodia
	GWS4618L	Renesas Electronics America Inc.	MOSFET N-CH LGA	4.014		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
	KGF12N05-400-SP	Renesas Electronics America Inc.	IC MOSFET N-CH	4.482		-	N-Channel	MOSFET (Metal Oxide)	5.5V	12A (Ta)	3.5V, 4.5V	2.4mOhm @ 12A, 4.5V	800mV @ 250µA	6nC @ 3.5V	±5.5V	940pF @ 5.5V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	6-WLCSP (1.47x1.47)	6-SMD, No Lead

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