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ZXTP56060FDBQ-7

ZXTP56060FDBQ-7

Solo per riferimento

Numero parte ZXTP56060FDBQ-7
PNEDA Part # ZXTP56060FDBQ-7
Descrizione SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.220
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 25 - lug 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXTP56060FDBQ-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXTP56060FDBQ-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
ZXTP56060FDBQ-7, ZXTP56060FDBQ-7 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 489,85 KB)
PDFZXTP56060FDBQ-7 Datasheet Copertura
ZXTP56060FDBQ-7 Datasheet Pagina 2 ZXTP56060FDBQ-7 Datasheet Pagina 3 ZXTP56060FDBQ-7 Datasheet Pagina 4 ZXTP56060FDBQ-7 Datasheet Pagina 5 ZXTP56060FDBQ-7 Datasheet Pagina 6 ZXTP56060FDBQ-7 Datasheet Pagina 7 ZXTP56060FDBQ-7 Datasheet Pagina 8

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ZXTP56060FDBQ-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistor2 PNP (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic450mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce170 @ 100mA, 2V
Potenza - Max510mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreU-DFN2020-6

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP Complementary Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

-

Tipo di transistor

4 NPN Darlington (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 4V

Potenza - Max

4W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP

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Produttore

Serie

-

Tipo di transistor

7 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

2N5793

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

380mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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