Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Solo per riferimento

Numero parte ZXMN3A04DN8TA
PNEDA Part # ZXMN3A04DN8TA
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 13.350
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMN3A04DN8TA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMN3A04DN8TA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMN3A04DN8TA, ZXMN3A04DN8TA Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 188,9 KB)
PDFZXMN3A04DN8TC Datasheet Copertura
ZXMN3A04DN8TC Datasheet Pagina 2 ZXMN3A04DN8TC Datasheet Pagina 3 ZXMN3A04DN8TC Datasheet Pagina 4 ZXMN3A04DN8TC Datasheet Pagina 5 ZXMN3A04DN8TC Datasheet Pagina 6 ZXMN3A04DN8TC Datasheet Pagina 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • ZXMN3A04DN8TA Datasheet
  • where to find ZXMN3A04DN8TA
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8TA
  • ZXMN3A04DN8TA PDF Datasheet
  • ZXMN3A04DN8TA Stock

  • ZXMN3A04DN8TA Pinout
  • Datasheet ZXMN3A04DN8TA
  • ZXMN3A04DN8TA Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • ZXMN3A04DN8TA Price
  • ZXMN3A04DN8TA Distributor

ZXMN3A04DN8TA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1890pF @ 15V
Potenza - Max1.81W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

I prodotti a cui potresti essere interessato

VKM40-06P1

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

ECO-PAC2

Pacchetto dispositivo fornitore

ECO-PAC2

BSD235C L6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

950mA, 530mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.6µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

47pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

EFC6617R-TF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

SI6913DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 400µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

BSD223P L6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

390mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.5µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

56pF @ 15V

Potenza - Max

250mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

Venduto di recente

MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F

Diodes Incorporated

TRANS NPN 40V 0.2A SMD SOT23-3

M2GL005-TQ144I

M2GL005-TQ144I

Microsemi

IC FPGA 84 I/O 144TQFP

4608X-102-471LF

4608X-102-471LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 470 OHM 8SIP

4608X-101-332LF

4608X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 3.3K OHM 8SIP

UES1302

UES1302

Microsemi

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

MBR4045PT

MBR4045PT

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3P

LTC4303IMS8#TRPBF

LTC4303IMS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC ACCELERATOR I2C HOTSWAP 8MSOP

DLW5BTN101SQ2L

DLW5BTN101SQ2L

Murata

CMC 6A 2LN 100 OHM SMD

MAX9910EXK+T

MAX9910EXK+T

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5

A42MX09-PQ100

A42MX09-PQ100

Microsemi

IC FPGA 83 I/O 100QFP

ADM3222ARSZ

ADM3222ARSZ

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SSOP

STPS30L60CT

STPS30L60CT

STMicroelectronics

DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB