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ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

Solo per riferimento

Numero parte ZXMN2A04DN8TA
PNEDA Part # ZXMN2A04DN8TA
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.536
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMN2A04DN8TA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMN2A04DN8TA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMN2A04DN8TA, ZXMN2A04DN8TA Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 179,46 KB)
PDFZXMN2A04DN8TC Datasheet Copertura
ZXMN2A04DN8TC Datasheet Pagina 2 ZXMN2A04DN8TC Datasheet Pagina 3 ZXMN2A04DN8TC Datasheet Pagina 4 ZXMN2A04DN8TC Datasheet Pagina 5 ZXMN2A04DN8TC Datasheet Pagina 6 ZXMN2A04DN8TC Datasheet Pagina 7

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ZXMN2A04DN8TA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1880pF @ 10V
Potenza - Max1.8W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

531pF @ 10V

Potenza - Max

710mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-WDFN (2x2)

MTM763200LBF

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.9A, 1.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

WSMini6-F1-B

2N7002DW-13-G

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

501pF @ 15V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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