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W972GG8JB-3I

W972GG8JB-3I

Solo per riferimento

Numero parte W972GG8JB-3I
PNEDA Part # W972GG8JB-3I
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.164
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W972GG8JB-3I Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW972GG8JB-3I
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W972GG8JB-3I, W972GG8JB-3I Datasheet (Totale pagine: 87, Dimensioni: 2.606,11 KB)
PDFW972GG8JB-3 TR Datasheet Copertura
W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 2 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 3 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 4 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 5 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 6 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 7 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 8 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 9 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 10 W972GG8JB-3 TR Datasheet Pagina 11

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  • W972GG8JB-3I Distributor

W972GG8JB-3I Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso450ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore60-WBGA (11x11.5)

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (8x6)

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

16Mb (1M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

60-TFBGA (6.4x10.1)

EDFP164A3PD-JD-F-R TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR3

Dimensione della memoria

24Gb (384M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Microchip Technology

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

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Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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