Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

W972GG6JB-3 TR

W972GG6JB-3 TR

Solo per riferimento

Numero parte W972GG6JB-3 TR
PNEDA Part # W972GG6JB-3-TR
Descrizione IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.172
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 4 - giu 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W972GG6JB-3 TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW972GG6JB-3 TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W972GG6JB-3 TR, W972GG6JB-3 TR Datasheet (Totale pagine: 87, Dimensioni: 2.544,42 KB)
PDFW972GG6JB-3I TR Datasheet Copertura
W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 2 W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 3 W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 4 W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 5 W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 6 W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 7 W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 8 W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 9 W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 10 W972GG6JB-3I TR Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • W972GG6JB-3 TR Datasheet
  • where to find W972GG6JB-3 TR
  • Winbond Electronics

  • Winbond Electronics W972GG6JB-3 TR
  • W972GG6JB-3 TR PDF Datasheet
  • W972GG6JB-3 TR Stock

  • W972GG6JB-3 TR Pinout
  • Datasheet W972GG6JB-3 TR
  • W972GG6JB-3 TR Supplier

  • Winbond Electronics Distributor
  • W972GG6JB-3 TR Price
  • W972GG6JB-3 TR Distributor

W972GG6JB-3 TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso450ps
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore84-WBGA (11x13)

I prodotti a cui potresti essere interessato

MB85RS64TUPN-G-AMEWE1

Fujitsu Electronics

Produttore

Fujitsu Electronics America, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SON

FM24CL64B-GTR

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.65V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT25320T1-10TC-2.7

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

32Kb (4K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-TSSOP

CY7C1350S-133AXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (128K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

Venduto di recente

74HC04D

74HC04D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC

PIC16F1705-I/P

PIC16F1705-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 14DIP

MAX253CSA+T

MAX253CSA+T

Maxim Integrated

IC DRVR TRANSFORMER 8-SOIC

FDN337N

FDN337N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

USB2514BI-AEZG

USB2514BI-AEZG

Microchip Technology

IC CONTROLLER USB 36QFN

FDC6331L

FDC6331L

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH INT 8VIN SSOT-6

SMA6J33A-TR

SMA6J33A-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 33V 60.8V SMA

BLM31PG500SN1L

BLM31PG500SN1L

Murata

FERRITE BEAD 50 OHM 1206 1LN

HX5401NL

HX5401NL

Pulse Electronics Network

XFRMR MODL 4PORT POE GIGABIT

D44VH10G

D44VH10G

ON Semiconductor

TRANS NPN 80V 15A TO220AB

AOD486A

AOD486A

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

NC7SZ14M5X

NC7SZ14M5X

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 1CH SOT23-5