Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Solo per riferimento

Numero parte W947D2HBJX5I
PNEDA Part # W947D2HBJX5I
Descrizione IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.294
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W947D2HBJX5I Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW947D2HBJX5I
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W947D2HBJX5I, W947D2HBJX5I Datasheet (Totale pagine: 60, Dimensioni: 1.160,44 KB)
PDFW947D2HBJX6E Datasheet Copertura
W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 2 W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 3 W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 4 W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 5 W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 6 W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 7 W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 8 W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 9 W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 10 W947D2HBJX6E Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • W947D2HBJX5I Datasheet
  • where to find W947D2HBJX5I
  • Winbond Electronics

  • Winbond Electronics W947D2HBJX5I
  • W947D2HBJX5I PDF Datasheet
  • W947D2HBJX5I Stock

  • W947D2HBJX5I Pinout
  • Datasheet W947D2HBJX5I
  • W947D2HBJX5I Supplier

  • Winbond Electronics Distributor
  • W947D2HBJX5I Price
  • W947D2HBJX5I Distributor

W947D2HBJX5I Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina15ns
Tempo di accesso5ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore90-VFBGA (8x13)

I prodotti a cui potresti essere interessato

CY7C1041CV33-12ZSXE

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

IS25LQ080-JVLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

1ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VVSOP

CY7C1051DV33-12ZSXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

8Mb (512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

CY7C1515KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

DS1245WP-100IND+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

34-PowerCap™ Module

Pacchetto dispositivo fornitore

34-PowerCap Module

Venduto di recente

CDRH124NP-100MC

CDRH124NP-100MC

Sumida

FIXED IND 10UH 4.5A 28 MOHM SMD

CEP125NP-1R0MC-HD

CEP125NP-1R0MC-HD

Sumida

FIXED IND 1UH 16.5A 2.5 MOHM SMD

ST16C2552IJ44TR-F

ST16C2552IJ44TR-F

MaxLinear, Inc.

IC UART FIFO 16B DUAL 44PLCC

1SMB28AT3G

1SMB28AT3G

Littelfuse

TVS DIODE 28V 45.4V SMB

MC14099BDWR2G

MC14099BDWR2G

ON Semiconductor

IC LATCH 8BIT ADDRESS 16-SOIC

ESD5V0D3-TP

ESD5V0D3-TP

Micro Commercial Co

TVS DIODE 5V 15.5V SOD323

EX-11EB

EX-11EB

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR THROUGH-BEAM 15CM NPN

EN5339QI

EN5339QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-4.6V 14W

250R05L0R4AV4T

250R05L0R4AV4T

Johanson Technology

CAP CER 0.4PF 25V C0G/NP0 0201

MC9S08AC96CLKE

MC9S08AC96CLKE

NXP

IC MCU 8BIT 96KB FLASH 80LQFP

GQM1555C2D3R3CB01D

GQM1555C2D3R3CB01D

Murata

CAP CER 3.3PF 200V NP0 0402

74HC573D

74HC573D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC LATCH OCTAL D 3ST 20SOIC