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W631GU6MB12J

W631GU6MB12J

Solo per riferimento

Numero parte W631GU6MB12J
PNEDA Part # W631GU6MB12J
Descrizione IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.552
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W631GU6MB12J Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW631GU6MB12J
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W631GU6MB12J, W631GU6MB12J Datasheet (Totale pagine: 161, Dimensioni: 5.796,29 KB)
PDFW631GU6MB12J Datasheet Copertura
W631GU6MB12J Datasheet Pagina 2 W631GU6MB12J Datasheet Pagina 3 W631GU6MB12J Datasheet Pagina 4 W631GU6MB12J Datasheet Pagina 5 W631GU6MB12J Datasheet Pagina 6 W631GU6MB12J Datasheet Pagina 7 W631GU6MB12J Datasheet Pagina 8 W631GU6MB12J Datasheet Pagina 9 W631GU6MB12J Datasheet Pagina 10 W631GU6MB12J Datasheet Pagina 11

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  • W631GU6MB12J Distributor

W631GU6MB12J Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia96-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore96-VFBGA (7.5x13)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

7024L25GB

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (4K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

84-BPGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PGA (27.94x27.94)

AT25128AW-10SU-1.8

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

20MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

71V67603S166BQG

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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