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W25X32VSSIG T&R

W25X32VSSIG T&R

Solo per riferimento

Numero parte W25X32VSSIG T&R
PNEDA Part # W25X32VSSIG-T-R
Descrizione IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.034
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25X32VSSIG T&R Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25X32VSSIG T&R
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25X32VSSIG T&R, W25X32VSSIG T&R Datasheet (Totale pagine: 48, Dimensioni: 1.565,54 KB)
PDFW25X32VZEIG T&R Datasheet Copertura
W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 2 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 3 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 4 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 5 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 6 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 7 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 8 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 9 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 10 W25X32VZEIG T&R Datasheet Pagina 11

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W25X32VSSIG T&R Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria32Mb (4M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock75MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

2MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

6ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

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Produttore

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Serie

Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

96ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

24-FBGA (6x8)

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

12Gb (384M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2.133GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

0.6V, 1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT29C010A-12TC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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