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W25Q80EWSSIG

W25Q80EWSSIG

Solo per riferimento

Numero parte W25Q80EWSSIG
PNEDA Part # W25Q80EWSSIG
Descrizione IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 49.193
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q80EWSSIG Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q80EWSSIG
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q80EWSSIG, W25Q80EWSSIG Datasheet (Totale pagine: 80, Dimensioni: 1.639,57 KB)
PDFW25Q80EWUXIE TR Datasheet Copertura
W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 2 W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 3 W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 4 W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 5 W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 6 W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 7 W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 8 W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 9 W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 10 W25Q80EWUXIE TR Datasheet Pagina 11

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W25Q80EWSSIG Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200ns

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

84-BPGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PGA (27.94x27.94)

25LC640AT-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AT21CS11-MSH10-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C, Single Wire

Frequenza di clock

125kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 4.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

2-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

2-XSFN (5x3.5)

W25Q80EWUXIE TR

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

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