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W25Q40BWZPIG

W25Q40BWZPIG

Solo per riferimento

Numero parte W25Q40BWZPIG
PNEDA Part # W25Q40BWZPIG
Descrizione IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8WSON
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 68.851
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 5 - lug 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q40BWZPIG Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q40BWZPIG
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q40BWZPIG, W25Q40BWZPIG Datasheet (Totale pagine: 73, Dimensioni: 2.561,46 KB)
PDFW25Q40BWUXIE TR Datasheet Copertura
W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 2 W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 3 W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 4 W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 5 W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 6 W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 7 W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 8 W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 9 W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 10 W25Q40BWUXIE TR Datasheet Pagina 11

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W25Q40BWZPIG Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock80MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina800µs
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON (6x5)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

1.6GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.26V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-LQFP (14x20)

71V416S12PHG8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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