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W25Q16FWUUIQ TR

W25Q16FWUUIQ TR

Solo per riferimento

Numero parte W25Q16FWUUIQ TR
PNEDA Part # W25Q16FWUUIQ-TR
Descrizione IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON
Produttore Winbond Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 46.104
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q16FWUUIQ TR Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q16FWUUIQ TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q16FWUUIQ TR, W25Q16FWUUIQ TR Datasheet (Totale pagine: 91, Dimensioni: 1.859,62 KB)
PDFW25Q16FWSVIQ TR Datasheet Copertura
W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 2 W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 3 W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 4 W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 5 W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 6 W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 7 W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 8 W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 9 W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 10 W25Q16FWSVIQ TR Datasheet Pagina 11

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  • W25Q16FWUUIQ TR Distributor

W25Q16FWUUIQ TR Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock104MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-USON (4x3)

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

-

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-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Pacchetto / Custodia

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Serie

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

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Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

CY7C1312CV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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