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W25Q128JVPIQ

W25Q128JVPIQ

Solo per riferimento

Numero parte W25Q128JVPIQ
PNEDA Part # W25Q128JVPIQ
Descrizione IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON
Produttore Winbond Electronics
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Disponibile 0
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

W25Q128JVPIQ Risorse

Brand Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteW25Q128JVPIQ
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
W25Q128JVPIQ, W25Q128JVPIQ Datasheet (Totale pagine: 78, Dimensioni: 2.404,93 KB)
PDFW25Q128JVCIQ Datasheet Copertura
W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 2 W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 3 W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 4 W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 5 W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 6 W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 7 W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 8 W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 9 W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 10 W25Q128JVCIQ Datasheet Pagina 11

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  • W25Q128JVPIQ Distributor

W25Q128JVPIQ Specifiche

ProduttoreWinbond Electronics
SerieSpiFlash®
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria128Mb (16M x 8)
Interfaccia di memoriaSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Frequenza di clock133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-WSON (6x5)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

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EPROM - OTP

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PDIP

IS42S16320D-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (528 Bytes x 8192 pages)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

13MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-TSOP

AT27C256R-45PI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

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Frequenza di clock

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Tensione - Alimentazione

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