VS-SD703C25S30L
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| Numero parte | VS-SD703C25S30L |
| PNEDA Part # | VS-SD703C25S30L |
| Descrizione | DIODE GP 2.5KV 790A DO200AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.460 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-SD703C25S30L Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-SD703C25S30L |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-SD703C25S30L, VS-SD703C25S30L Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 529,14 KB)
  
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VS-SD703C25S30L Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 2500V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 790A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.85V @ 1500A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 2500V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Clamp On |
| Pacchetto / Custodia | DO-200AB, B-PUK |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AB, B-PUK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.24V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 85µA @ 150V Capacità @ Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore DO-219AB (SMF) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 90V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 90V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Littelfuse Inc. Serie Gen2 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 44A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 15A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 920pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
