VS-MBRB1635TRL-M3
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| Numero parte | VS-MBRB1635TRL-M3 |
| PNEDA Part # | VS-MBRB1635TRL-M3 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.232 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-MBRB1635TRL-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-MBRB1635TRL-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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VS-MBRB1635TRL-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 35V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 16A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 16A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 35V |
| Capacità @ Vr, F | 1400pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 525mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 60A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 38ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 300V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 90V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 90V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 850mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.04V @ 9.4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 155°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 40A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-5 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 200°C |
