VS-GT100TP120N
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| Numero parte | VS-GT100TP120N |
| PNEDA Part # | VS-GT100TP120N |
| Descrizione | IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.220 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-GT100TP120N Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-GT100TP120N |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
VS-GT100TP120N, VS-GT100TP120N Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 183,81 KB)
  
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VS-GT100TP120N Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 180A |
| Potenza - Max | 652W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 12.8nF @ 30V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Configurazione Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 570A Potenza - Max 2250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 22nF @ 25V Input Standard Termistore NTC No Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
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