VS-GB150TH120N
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| Numero parte | VS-GB150TH120N |
| PNEDA Part # | VS-GB150TH120N |
| Descrizione | IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.822 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-GB150TH120N Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-GB150TH120N |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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VS-GB150TH120N Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 300A |
| Potenza - Max | 1008W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 150A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Double INT-A-PAK |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 150A Potenza - Max 340W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max) 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia SP1 Pacchetto dispositivo fornitore SP1 |
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