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VS-ETH3007THN3

VS-ETH3007THN3

Solo per riferimento

Numero parte VS-ETH3007THN3
PNEDA Part # VS-ETH3007THN3
Descrizione DIODE GEN PURP 650V 30A TO220AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.528
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-ETH3007THN3 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-ETH3007THN3
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-ETH3007THN3, VS-ETH3007THN3 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 147,69 KB)
PDFVS-ETH3007THN3 Datasheet Copertura
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VS-ETH3007THN3 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)650V
Corrente - Media Rettificata (Io)30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.1V @ 30A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)37ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr30µA @ 650V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

4V @ 200mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

NRVB8H100MFSWFT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CDBMT230L-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 30V

Capacità @ Vr, F

160pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123H

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-123H

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 100°C

JAN1N5418US

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/411

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 9A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SQ-MELF, B

Pacchetto dispositivo fornitore

D-5B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

S4G M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 4A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

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