VS-4EVH01-M3/I
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| Numero parte | VS-4EVH01-M3/I |
| PNEDA Part # | VS-4EVH01-M3-I |
| Descrizione | DIODE GEN PURPOSE 100V SLIMDPAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 30.810 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-4EVH01-M3/I Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-4EVH01-M3/I |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-4EVH01-M3/I, VS-4EVH01-M3/I Datasheet
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VS-4EVH01-M3/I Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | FRED Pt® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 100V Capacità @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/609 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 300mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 300mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, B Pacchetto dispositivo fornitore D-5B Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 90V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 800mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 90V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1600V Corrente - Media Rettificata (Io) 70A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.46V @ 220A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
