VS-30WQ10FN-M3
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| Numero parte | VS-30WQ10FN-M3 |
| PNEDA Part # | VS-30WQ10FN-M3 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY DPAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.142 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-30WQ10FN-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-30WQ10FN-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-30WQ10FN-M3, VS-30WQ10FN-M3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 145,22 KB)
  
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VS-30WQ10FN-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 3.5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 3A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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