VS-1EFH02W-M3-18
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| Numero parte | VS-1EFH02W-M3-18 |
| PNEDA Part # | VS-1EFH02W-M3-18 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 1A SMF |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.714 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 5 - giu 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-1EFH02W-M3-18 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-1EFH02W-M3-18 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-1EFH02W-M3-18, VS-1EFH02W-M3-18 Datasheet
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VS-1EFH02W-M3-18 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | FRED Pt® |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 16ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-219AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMF (DO-219AB) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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