VS-10ETF02STRR-M3
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| Numero parte | VS-10ETF02STRR-M3 |
| PNEDA Part # | VS-10ETF02STRR-M3 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.398 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 20 - giu 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-10ETF02STRR-M3 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-10ETF02STRR-M3 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
VS-10ETF02STRR-M3, VS-10ETF02STRR-M3 Datasheet
(Totale pagine: 12, Dimensioni: 312,32 KB)
  
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VS-10ETF02STRR-M3 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 580mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 40V Capacità @ Vr, F 340pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0603 (1608 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore CLP1608-2L Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
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