VP2206N3-G
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| Numero parte | VP2206N3-G |
| PNEDA Part # | VP2206N3-G |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 |
| Produttore | Microchip Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 18.012 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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VP2206N3-G Risorse
| Brand | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VP2206N3-G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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VP2206N3-G Specifiche
| Produttore | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 640mA (Tj) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 740mW (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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